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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL3303LPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL3303LPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL3303LPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL3303LPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 38A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRL3303(L,S)PbF.pdf
En stock: 3710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL3303LPBF
Infineon Technologies - IRL3303LPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL3303LPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL3303LPBF

Attributs du produit IRL3303LPBF IRL3302S IRL3303S IRL3215
Modèle de produit IRL3303LPBF IRL3302S IRL3303S IRL3215
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V 20mOhm @ 23A, 7V 26mOhm @ 20A, 10V 166mOhm @ 7.2A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 1300 pF @ 15 V 870 pF @ 25 V 775 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) 39A (Tc) 38A (Tc) 12A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-262 D2PAK D2PAK TO-220AB
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 57W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 80W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 7V 4.5V, 10V 4V, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 150 V

Fiche technique IRL3303LPBF PDF

Téléchargez IRL3303LPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL3303LPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IRL3303(L,S)PbF.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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