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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ44NPBF
IRFZ44NPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ44NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFZ44NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ44NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFZ44NPBF.pdf
État RoHS
En stock: 58730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ44NPBF
Infineon Technologies - IRFZ44NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFZ44NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFZ44NPBF

Attributs du produit IRFZ44NPBF IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44NL IRFZ44NLPBF
Modèle de produit IRFZ44NPBF IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44NL IRFZ44NLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1470 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc) 110W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 55 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Tc) 48A (Tc) 49A (Tc) 49A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 25A, 10V 23mOhm @ 29A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRFZ44 IRFZ44 - -

Fiche technique IRFZ44NPBF PDF

Téléchargez IRFZ44NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFZ44NPBF - Infineon Technologies.

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