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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS7734TRLPBF
IRFS7734TRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS7734TRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS7734TRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS7734TRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS7734TRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 15180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS7734TRLPBF
Infineon Technologies - IRFS7734TRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS7734TRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 290W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 183A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFS7734  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS7734TRLPBF

Attributs du produit IRFS7734TRLPBF IRFS7730PBF IRFS7734TRL7PP IRFS7540TRLPBF
Modèle de produit IRFS7734TRLPBF IRFS7730PBF IRFS7734TRL7PP IRFS7540TRLPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 290W (Tc) 375W (Tc) 294W (Tc) 160W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10150 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V 10130 pF @ 25 V 4555 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 150µA 3.7V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 183A (Tc) 195A (Tc) 197A (Tc) 110A (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO263-3 D²PAK (TO-263AB) PG-TO263-7 PG-TO263-3
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V 60 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 3.05mOhm @ 100A, 10V 5.1mOhm @ 65A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRFS7734 - - IRFS7540
Séries HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™

Fiche technique IRFS7734TRLPBF PDF

Téléchargez IRFS7734TRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS7734TRLPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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