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IRFS52N15DPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS52N15DPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS52N15DPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS52N15DPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS52N15DPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS52N15DPBF
Infineon Technologies - IRFS52N15DPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS52N15DPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 36A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 51A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS52N15DPBF

Attributs du produit IRFS52N15DPBF IRFS5615TRLPBF IRFS530A IRFS5615PBF
Modèle de produit IRFS52N15DPBF IRFS5615TRLPBF IRFS530A IRFS5615PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2770 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V 790 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 36A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V 110mOhm @ 5.35A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 150 V 150 V 100 V 150 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK TO-220F D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 51A (Tc) 33A (Tc) 10.7A (Tc) 33A (Tc)
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
Séries HEXFET® - - -
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 230W (Tc) 144W (Tc) 32W (Tc) 144W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IRFS52N15DPBF PDF

Téléchargez IRFS52N15DPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS52N15DPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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