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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS38N20DTRLP
IRFS38N20DTRLP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS38N20DTRLP - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS38N20DTRLP
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS38N20DTRLP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS38N20DTRLP.pdf
État RoHS
En stock: 11430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies - IRFS38N20DTRLP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS38N20DTRLP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFS38  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS38N20DTRLP

Attributs du produit IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DPBF IRFS3806TRLPBF IRFS3806PBF
Modèle de produit IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DPBF IRFS3806TRLPBF IRFS3806PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 60 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 26A, 10V 54mOhm @ 26A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 50µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 1150 pF @ 50 V 1150 pF @ 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base IRFS38 - IRFS3806 IRFS3806
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 71W (Tc) 71W (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc) 43A (Tc)

Fiche technique IRFS38N20DTRLP PDF

Téléchargez IRFS38N20DTRLP PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS38N20DTRLP - Infineon Technologies.

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