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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR7746TRPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR7746TRPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFR7746TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR7746TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IRFR7746 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Description détaillée
Emballage
176-LQFP
Fiche technique
IRFR7746TRPBF.pdf
En stock: 4550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR7746TRPBF
International Rectifier - IRFR7746TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFR7746TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 176-LQFP (24x24)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 99W (Tc)  
Package / Boîte 176-LQFP  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3107 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFR7746TRPBF

Attributs du produit IRFR7746TRPBF IRFR7540PBF IRFR7546TRPBF IRFR825TRPBF
Modèle de produit IRFR7746TRPBF IRFR7540PBF IRFR7546TRPBF IRFR825TRPBF
Fabricant International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc) 90A (Tc) 56A (Tc) 6A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V - 6V, 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur 176-LQFP (24x24) TO-252AA DPAK D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.2mOhm @ 35A, 10V 4.8mOhm @ 66A, 10V 7.9mOhm @ 43A, 10V 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3107 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V 3020 pF @ 25 V 1346 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 75 V 60 V 60 V 500 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 99W (Tc) 140W (Tc) 99W (Tc) 119W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 100µA 5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® StrongIRFET™ HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 176-LQFP TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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