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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR4510PBF
IRFR4510PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR4510PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR4510PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR4510PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR4510PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR4510PBF
Infineon Technologies - IRFR4510PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR4510PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 38A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3031 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR4510PBF

Attributs du produit IRFR4510PBF IRFR4615TRLPBF IRFR4615PBF IRFR4510TRPBF
Modèle de produit IRFR4510PBF IRFR4615TRLPBF IRFR4615PBF IRFR4510TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 143W (Tc) 144W (Tc) 144W (Tc) 143W (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3031 pF @ 50 V 1750 pF @ 50 V 1750 pF @ 50 V 3031 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 38A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V 13.9mOhm @ 38A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 150 V 150 V 100 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 100µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc) 33A (Tc) 33A (Tc) 56A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRFR4510PBF PDF

Téléchargez IRFR4510PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFR4510PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Pkg Type Disc 16/May/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Wafer Source 11/Nov/2014.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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