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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR3910PBF
IRFR3910PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR3910PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR3910PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR3910PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR3910PBF.pdf
État RoHS
En stock: 5380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR3910PBF
Infineon Technologies - IRFR3910PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR3910PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 79W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR3910PBF

Attributs du produit IRFR3910PBF IRFR3910TRPBF IRFR3806TRPBF IRFR3910TRLPBF
Modèle de produit IRFR3910PBF IRFR3910TRPBF IRFR3806TRPBF IRFR3910TRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 60 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 10A, 10V 115mOhm @ 10A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 115mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 79W (Tc) 79W (Tc) 71W (Tc) 79W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 16A (Tc) 43A (Tc) 16A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 1150 pF @ 50 V 640 pF @ 25 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFR3910PBF PDF

Téléchargez IRFR3910PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFR3910PBF - Infineon Technologies.

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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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