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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR3410PBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR3410PBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFR3410PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR3410PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR3410PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR3410PBF
International Rectifier - IRFR3410PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFR3410PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFR3410PBF

Attributs du produit IRFR3410PBF IRFR320TRRPBF IRFR3410TRPBF IRFR3411PBF
Modèle de produit IRFR3410PBF IRFR320TRRPBF IRFR3410TRPBF IRFR3411PBF
Fabricant International Rectifier Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 130W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc) 3.1A (Tc) 31A (Tc) 32A (Tc)
Package composant fournisseur TO-252AA D-Pak D-Pak TO-252AA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 18A, 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 39mOhm @ 18A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 400 V 100 V 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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