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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR13N15DTRPBF
IRFR13N15DTRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR13N15DTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR13N15DTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR13N15DTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR13N15DTRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR13N15DTRPBF
Infineon Technologies - IRFR13N15DTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR13N15DTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 86W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR13N15DTRPBF

Attributs du produit IRFR13N15DTRPBF IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRLP IRFR130ATM
Modèle de produit IRFR13N15DTRPBF IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRLP IRFR130ATM
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak TO-252AA
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 200 V 200 V 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 86W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.3A, 10V 235mOhm @ 8A, 10V 235mOhm @ 8A, 10V 110mOhm @ 6.5A, 10V

Fiche technique IRFR13N15DTRPBF PDF

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