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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP9140NPBF
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IRFP9140NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFP9140NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP9140NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP9140NPBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 33552

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFP9140NPBF
Infineon Technologies - IRFP9140NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFP9140NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP9140  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFP9140NPBF

Attributs du produit IRFP9140NPBF IRFP90N20DPBF IRFP9140 IRFP7537PBF
Modèle de produit IRFP9140NPBF IRFP90N20DPBF IRFP9140 IRFP7537PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 94A (Tc) 21A (Tc) 172A (Tc)
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.7V @ 150µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®, StrongIRFET™
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 6V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 580W (Tc) 180W (Tc) 230W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 6040 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 13A, 10V 23mOhm @ 56A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V
Numéro de produit de base IRFP9140 IRFP90 IRFP9140 IRFP7537

Fiche technique IRFP9140NPBF PDF

Téléchargez IRFP9140NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFP9140NPBF - Infineon Technologies.

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