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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFHM9331TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFHM9331TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFHM9331TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFHM9331TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
IRFHM9331TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 140610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFHM9331TRPBF
Infineon Technologies - IRFHM9331TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFHM9331TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (3x3)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1543 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V, 20V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 24A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFHM9331  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFHM9331TRPBF

Attributs du produit IRFHM9331TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFHS8342TRPBF IRFHS8242TRPBF
Modèle de produit IRFHM9331TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFHS8342TRPBF IRFHS8242TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta) 2.6W (Ta) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 24A (Tc) 11A (Ta) 8.8A (Ta), 19A (Tc) 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11A, 20V 14.6mOhm @ 11A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 2.4V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V, 20V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1543 pF @ 25 V 1543 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 653 pF @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PQFN (3x3) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 PG-TSDSON-6 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRFHM9331 - IRFHS8342 IRFHS8242
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRFHM9331TRPBF PDF

Téléchargez IRFHM9331TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFHM9331TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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