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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFH5053TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFH5053TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFH5053TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFH5053TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
IRFH5053TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 33905

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFH5053TRPBF
Infineon Technologies - IRFH5053TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFH5053TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PQFN (5x6) Single Die  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.3A (Ta), 46A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFH5053  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFH5053TRPBF

Attributs du produit IRFH5053TRPBF IRFH5106TRPBF IRFH5025TRPBF IRFH5106TR2PBF
Modèle de produit IRFH5053TRPBF IRFH5106TRPBF IRFH5025TRPBF IRFH5106TR2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 50 V 3090 pF @ 25 V 2150 pF @ 50 V 3090 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 150µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.3A (Ta), 46A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 3.8A (Ta) 21A (Ta), 100A (Tc)
Numéro de produit de base IRFH5053 - IRFH5025 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V 5.6mOhm @ 50A, 10V 100mOhm @ 5.7A, 10V 5.6mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 250 V 60 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Package composant fournisseur PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRFH5053TRPBF PDF

Téléchargez IRFH5053TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFH5053TRPBF - Infineon Technologies.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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