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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFF9213
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFF9213 - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFF9213
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFF9213
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Description détaillée
Emballage
TO-205AF Metal Can
Fiche technique
IRFF9213.pdf
En stock: 4340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFF9213
International Rectifier - IRFF9213 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFF9213

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-205AF (TO-39)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) 15W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-205AF Metal Can  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFF9213

Attributs du produit IRFF9213 IRFF433 IRFF9130 IRFF9131
Modèle de produit IRFF9213 IRFF433 IRFF9130 IRFF9131
Fabricant International Rectifier Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 2Ohm @ 1.5A, 10V 300mOhm @ 3A, 10V 300mOhm @ 3A, 10V
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 150 V 450 V 100 V 80 V
Package / Boîte TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A (Tc) 2.25A (Tc) 6.5A (Tc) 6.5A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 15W 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® - - -
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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