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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFBA1404PPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFBA1404PPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFBA1404PPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFBA1404PPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Description détaillée
Emballage
TO-273AA
Fiche technique
IRFBA1404PPBF.pdf
En stock: 20860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFBA1404PPBF
International Rectifier - IRFBA1404PPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFBA1404PPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SUPER-220™ (TO-273AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 95A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-273AA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7360 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 206A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFBA1404PPBF

Attributs du produit IRFBA1404PPBF IRFB9N65A IRFBC20 IRFBC20PBF
Modèle de produit IRFBA1404PPBF IRFB9N65A IRFBC20 IRFBC20PBF
Fabricant International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 206A (Tc) 8.5A (Tc) 2.2A (Tc) 2.2A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Séries HEXFET® - - -
Tension drain-source (Vdss) 40 V 650 V 600 V 600 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-273AA TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 167W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Package composant fournisseur SUPER-220™ (TO-273AA) TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7360 pF @ 25 V 1417 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 95A, 10V 930mOhm @ 5.1A, 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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