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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFB7730PBF
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IRFB7730PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFB7730PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFB7730PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFB7730PBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 19790

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRFB7730PBF
Infineon Technologies - IRFB7730PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFB7730PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13660 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 407 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFB7730  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFB7730PBF

Attributs du produit IRFB7730PBF IRFB7787PBF IRFB7740PBF IRFB7546PBF
Modèle de produit IRFB7730PBF IRFB7787PBF IRFB7740PBF IRFB7546PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 407 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 122 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Numéro de produit de base IRFB7730 - IRFB7740 IRFB7546
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc) 76A (Tc) 87A (Tc) 75A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 75 V 75 V 75 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 100A, 10V 8.4mOhm @ 46A, 10V 7.3mOhm @ 52A, 10V 7.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13660 pF @ 25 V 4020 pF @ 25 V 4650 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc) 125W (Tc) 143W (Tc) 99W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB

Fiche technique IRFB7730PBF PDF

Téléchargez IRFB7730PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFB7730PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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