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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFB5620PBF
IRFB5620PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFB5620PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFB5620PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFB5620PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFB5620PBF.pdf
État RoHS
En stock: 36251

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFB5620PBF
Infineon Technologies - IRFB5620PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFB5620PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 144W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFB5620  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFB5620PBF

Attributs du produit IRFB5620PBF IRFB4710PBF IRFB59N10DPBF IRFB61N15DPBF
Modèle de produit IRFB5620PBF IRFB4710PBF IRFB59N10DPBF IRFB61N15DPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 100 V 150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 45A, 10V 25mOhm @ 35.4A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Dissipation de puissance (max) 144W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 75A (Tc) 59A (Tc) 60A (Tc)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Numéro de produit de base IRFB5620 IRFB4710 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V 6160 pF @ 25 V 2450 pF @ 25 V 3470 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V

Fiche technique IRFB5620PBF PDF

Téléchargez IRFB5620PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFB5620PBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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