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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFB4310ZGPBF
IRFB4310ZGPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFB4310ZGPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFB4310ZGPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFB4310ZGPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFB4310ZGPBF.pdf
En stock: 4160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFB4310ZGPBF
Infineon Technologies - IRFB4310ZGPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFB4310ZGPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFB4310ZGPBF

Attributs du produit IRFB4310ZGPBF IRFB42N20D IRFB4321PBF IRFB42N20DPBF
Modèle de produit IRFB4310ZGPBF IRFB42N20D IRFB4321PBF IRFB42N20DPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V 55mOhm @ 26A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V 55mOhm @ 26A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 150 V 200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc) 44A (Tc) 85A (Tc) 44A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) 350W (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Emballer Tube Tube Tube Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V 3430 pF @ 25 V 4460 pF @ 50 V 3430 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFB4310ZGPBF PDF

Téléchargez IRFB4310ZGPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFB4310ZGPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Assemblage / origine PCN
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 05/Nov/2013.pdf
Feuilles de données
IRFB4310ZGPBF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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