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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9540NLPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9540NLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9540NLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9540NLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 23A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRF9540NLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 21695

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9540NLPBF
Infineon Technologies - IRF9540NLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9540NLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9540NLPBF

Attributs du produit IRF9540NLPBF IRF9530STRLPBF IRF9532 IRF9540
Modèle de produit IRF9540NLPBF IRF9530STRLPBF IRF9532 IRF9540
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Harris Corporation Fairchild Semiconductor
Séries HEXFET® - - -
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 75W (Tc) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 14A, 10V 300mOhm @ 7.2A, 10V 400mOhm @ 6.5A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base IRF9540 IRF9530 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-262 D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc) 19A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V

Fiche technique IRF9540NLPBF PDF

Téléchargez IRF9540NLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9540NLPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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