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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9530NSPBF
IRF9530NSPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9530NSPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9530NSPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9530NSPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF9530NSPBF.pdf
État RoHS
En stock: 5190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9530NSPBF
Infineon Technologies - IRF9530NSPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9530NSPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 8.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 79W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9530NSPBF

Attributs du produit IRF9530NSPBF IRF9530NSTRRPBF IRF9530NPBF IRF9530NSTRLPBF
Modèle de produit IRF9530NSPBF IRF9530NSTRRPBF IRF9530NPBF IRF9530NSTRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) 79W (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK TO-220AB D2PAK
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V 760 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRF9530NSPBF PDF

Téléchargez IRF9530NSPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9530NSPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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