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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9328TRPBF
IRF9328TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9328TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9328TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9328TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF9328TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 3670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9328TRPBF
Infineon Technologies - IRF9328TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9328TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9328  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9328TRPBF

Attributs du produit IRF9328TRPBF IRF9321PBF IRF9317PBF IRF9333PBF
Modèle de produit IRF9328TRPBF IRF9321PBF IRF9317PBF IRF9333PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 2.4V @ 50µA 2.4V @ 50µA 2.4V @ 25µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V 2820 pF @ 15 V 1110 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 15A (Ta) 16A (Ta) 9.2A (Ta)
Numéro de produit de base IRF9328 - - -
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 12A, 10V 7.2mOhm @ 15A, 10V 6.6mOhm @ 16A, 10V 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Fiche technique IRF9328TRPBF PDF

Téléchargez IRF9328TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9328TRPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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