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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF8513TRPBF
IRF8513TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF8513TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF8513TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF8513TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF8513TRPBF.pdf
En stock: 4000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF8513TRPBF
Infineon Technologies - IRF8513TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF8513TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V  
Puissance - Max 1.5W, 2.4W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A, 11A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF8513  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF8513TRPBF

Attributs du produit IRF8513TRPBF IRF8513PBF IRF840SPBF IRF8707GPBF F8707G
Modèle de produit IRF8513TRPBF IRF8513PBF IRF840SPBF IRF8707GPBF F8707G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix IR
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V 766pF @ 15V 1300 pF @ 25 V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A, 11A 8A, 11A 8A (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 500 V -
Puissance - Max 1.5W, 2.4W 1.5W, 2.4W - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V 63 nC @ 10 V -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Numéro de produit de base IRF8513 IRF8513 IRF840 -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V 15.5mOhm @ 8A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO D²PAK (TO-263) -
Séries HEXFET® - - -

Fiche technique IRF8513TRPBF PDF

Téléchargez IRF8513TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF8513TRPBF - Infineon Technologies.

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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