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IRF8313TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF8313TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF8313TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF8313TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF8313TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 131170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF8313TRPBF
Infineon Technologies - IRF8313TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF8313TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.7A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF8313  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF8313TRPBF

Attributs du produit IRF8313TRPBF IRF8313PBF IRF840 IRF830SPBF
Modèle de produit IRF8313TRPBF IRF8313PBF IRF840 IRF830SPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V 15.5mOhm @ 9.7A, 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 500 V 500 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.7A 9.7A (Ta) 8A (Tc) 4.5A (Tc)
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V 9nC @ 4.5V 63 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO TO-220AB D²PAK (TO-263)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V 760pF @ 15V 1300 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Numéro de produit de base IRF8313 IRF8313 IRF840 IRF830
Puissance - Max 2W 2W (Ta) - -

Fiche technique IRF8313TRPBF PDF

Téléchargez IRF8313TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF8313TRPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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