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IRF8252TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF8252TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF8252TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF8252TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 25A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF8252TRPBF.pdf
En stock: 4360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF8252TRPBF
Infineon Technologies - IRF8252TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF8252TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5305 pF @ 13 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF8252TRPBF

Attributs du produit IRF8252TRPBF IRF8302MTRPBF IRF820STRR IRF830
Modèle de produit IRF8252TRPBF IRF8302MTRPBF IRF820STRR IRF830
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Harris Corporation
Tension drain-source (Vdss) 25 V 30 V 500 V 500 V
Séries HEXFET® HEXFET® - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5305 pF @ 13 V 6030 pF @ 15 V 360 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
Package composant fournisseur 8-SO DIRECTFET™ MX D²PAK (TO-263) TO-220AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta) 31A (Ta), 190A (Tc) 2.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.8W (Ta), 104W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 75W (Tc)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric MX TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 25A, 10V 1.8mOhm @ 31A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 4.5 V 53 nC @ 4.5 V 24 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V

Fiche technique IRF8252TRPBF PDF

Téléchargez IRF8252TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF8252TRPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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