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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7905PBF
IRF7905PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7905PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7905PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7905PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7905PBF.pdf
En stock: 5270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7905PBF
Infineon Technologies - IRF7905PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7905PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.8mOhm @ 7.8A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.8A, 8.9A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF7905  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7905PBF

Attributs du produit IRF7905PBF IRF7904PBF IRF7904TRPBF IRF7907PBF
Modèle de produit IRF7905PBF IRF7904PBF IRF7904TRPBF IRF7907PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 2W 1.4W, 2W 1.4W, 2W 2W
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.8A, 8.9A 7.6A, 11A 7.6A, 11A 9.1A, 11A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V 910pF @ 15V 910pF @ 15V 850pF @ 15V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Numéro de produit de base IRF7905 IRF7904 IRF7904 IRF7907
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA 2.25V @ 25µA 2.25V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.8mOhm @ 7.8A, 10V 16.2mOhm @ 7.6A, 10V 16.2mOhm @ 7.6A, 10V 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)

Fiche technique IRF7905PBF PDF

Téléchargez IRF7905PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7905PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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