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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7862TRPBF
IRF7862TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7862TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7862TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7862TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7862PbF.pdf
IRF7862PbF.pdf
État RoHS
En stock: 93070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7862TRPBF
Infineon Technologies - IRF7862TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7862TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4090 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta)  
Numéro de produit de base IRF7862  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7862TRPBF

Attributs du produit IRF7862TRPBF IRF7855PBF IRF7855TRPBF IRF7901D1TRPBF
Modèle de produit IRF7862TRPBF IRF7855PBF IRF7855TRPBF IRF7901D1TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRF7862 - IRF7855 IRF7901
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta) 12A (Ta) 12A (Ta) 6.2A
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® FETKY™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 60 V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 20A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 10.5nC @ 5V
Fonction FET - - - Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4090 pF @ 15 V 1560 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V 780pF @ 16V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 10V -

Fiche technique IRF7862TRPBF PDF

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Feuilles de données
IRF7862PbF.pdf
Fiche technique HTML
IRF7862PbF.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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