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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7842TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7842TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7842TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7842TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 55170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7842TRPBF
Infineon Technologies - IRF7842TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7842TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta)  
Numéro de produit de base IRF7842  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7842TRPBF

Attributs du produit IRF7842TRPBF IRF7853PBF IRF7855PBF IRF7854TRPBF
Modèle de produit IRF7842TRPBF IRF7853PBF IRF7855PBF IRF7854TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRF7842 - - IRF7854
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 100 V 60 V 80 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 20 V 1640 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta) 8.3A (Ta) 12A (Ta) 10A (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V 18mOhm @ 8.3A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V - 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V

Fiche technique IRF7842TRPBF PDF

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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