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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7607TRPBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRF7607TRPBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRF7607TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7607TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Emballage
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Fiche technique
IRF7607TRPBF.pdf
Notre certification
En stock: 5490

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF7607TRPBF
International Rectifier - IRF7607TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRF7607TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro8™  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta)  
Numéro de produit de base IRF7607  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRF7607TRPBF

Attributs du produit IRF7607TRPBF IRF7700TRPBF IRF7663TR IRF7701TR
Modèle de produit IRF7607TRPBF IRF7700TRPBF IRF7663TR IRF7701TR
Fabricant International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta) 8.6A (Tc) 8.2A (Ta) 10A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 4300 pF @ 15 V 2520 pF @ 10 V 5050 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±12V ±12V - ±8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IRF7607 - - -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur Micro8™ 8-TSSOP Micro8™ 8-TSSOP
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 12 V
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta) 1.5W (Tc) - 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 15mOhm @ 8.6A, 4.5V 20mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 10A, 4.5V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V - 1.8V, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 89 nC @ 5 V 45 nC @ 5 V 100 nC @ 4.5 V
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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