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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7478QTRPBF
IRF7478QTRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7478QTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7478QTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7478QTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7478QPbF.pdf
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7478QTRPBF
Infineon Technologies - IRF7478QTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7478QTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 4.2A, 10V  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Cut Tape (CT)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7478QTRPBF

Attributs du produit IRF7478QTRPBF IRF7478PBF IRF7478TRPBF IRF7477PBF
Modèle de produit IRF7478QTRPBF IRF7478PBF IRF7478TRPBF IRF7477PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 1740 pF @ 25 V 2710 pF @ 15 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 30 V
Emballer Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 4.2A, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta) 14A (Ta)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO

Fiche technique IRF7478QTRPBF PDF

Téléchargez IRF7478QTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7478QTRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRF7478QPbF.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 05/May/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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