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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7464
IRF7464 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7464 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7464
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7464
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7464.pdf
En stock: 3880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7464
Infineon Technologies - IRF7464 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7464

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 720mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7464

Attributs du produit IRF7464 IRF7467 IRF7460TR IRF7460PBF
Modèle de produit IRF7464 IRF7467 IRF7460TR IRF7460PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 2530 pF @ 15 V 2050 pF @ 10 V 2050 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 32 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 2.8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 30 V 20 V 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Ta) 11A (Ta) 12A (Ta) 12A (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 720mA, 10V 12mOhm @ 11A, 10V 10mOhm @ 12A, 10V 10mOhm @ 12A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±30V ±12V ±20V ±20V

Fiche technique IRF7464 PDF

Téléchargez IRF7464 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7464 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7464.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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