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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7422D2TRPBF
IRF7422D2TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7422D2TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7422D2TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7422D2TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7422D2PbF.pdf
En stock: 4080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7422D2TRPBF
Infineon Technologies - IRF7422D2TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7422D2TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.7V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7422D2TRPBF

Attributs du produit IRF7422D2TRPBF IRF7424TRPBF IRF7421D1 IRF7422D2PBF
Modèle de produit IRF7422D2TRPBF IRF7424TRPBF IRF7421D1 IRF7422D2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 13.5mOhm @ 11A, 10V 35mOhm @ 4.1A, 10V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 15 V 4030 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 610 pF @ 15 V
Séries FETKY™ HEXFET® FETKY™ FETKY™
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2.5W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) - Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Ta) 11A (Ta) 5.8A (Ta) 4.3A (Ta)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 110 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V

Fiche technique IRF7422D2TRPBF PDF

Téléchargez IRF7422D2TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7422D2TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf
Feuilles de données
IRF7422D2PbF.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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