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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7313TRPBF-1
IRF7313TRPBF-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7313TRPBF-1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7313TRPBF-1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7313TRPBF-1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7313PbF-1.pdf
État RoHS
En stock: 4630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7313TRPBF-1
Infineon Technologies - IRF7313TRPBF-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7313TRPBF-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V  
Puissance - Max 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF731  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7313TRPBF-1

Attributs du produit IRF7313TRPBF-1 IRF7314PBF IRF7314QTRPBF IRF7314TRPBF
Modèle de produit IRF7313TRPBF-1 IRF7314PBF IRF7314QTRPBF IRF7314TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Puissance - Max 2W (Ta) 2W 2.4W 2W
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base IRF731 IRF731 IRF731 IRF731
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta) 5.3A 5.2A 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 58mOhm @ 5.2A, 4.5V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V 780pF @ 15V 913pF @ 15V 780pF @ 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 29nC @ 4.5V 29nC @ 4.5V 29nC @ 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SO 8-SO 8-SO
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

Fiche technique IRF7313TRPBF-1 PDF

Téléchargez IRF7313TRPBF-1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7313TRPBF-1 - Infineon Technologies.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 9/Apr/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 28/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
IRF7313PbF-1.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRF7313TRPBF-1

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32D-IRF7313TRPBF-1

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