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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7307TRPBF
IRF7307TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7307TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7307TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7307TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7307TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 5000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7307TRPBF
Infineon Technologies - IRF7307TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7307TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A, 4.3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF73  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7307TRPBF

Attributs du produit IRF7307TRPBF IRF7306TR IRF7309QTRPBF IRF7306TRPBF
Modèle de produit IRF7307TRPBF IRF7306TR IRF7309QTRPBF IRF7306TRPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A, 4.3A 3.6A (Ta) 4A, 3A 3.6A
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 100mOhm @ 1.8A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 25nC @ 10V 25nC @ 4.5V 25nC @ 10V
Puissance - Max 2W 2W (Ta) 1.4W 2W
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Numéro de produit de base IRF73 - IRF73 IRF73
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V 440pF @ 25V 520pF @ 15V 440pF @ 25V
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique IRF7307TRPBF PDF

Téléchargez IRF7307TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7307TRPBF - Infineon Technologies.

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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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