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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF7301TRPBF
IRF7301TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7301TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7301TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7301TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7301TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 5260

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7301TRPBF
Infineon Technologies - IRF7301TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7301TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF73  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7301TRPBF

Attributs du produit IRF7301TRPBF IRF7304 IRF7304TR IRF7303TRPBF
Modèle de produit IRF7301TRPBF IRF7304 IRF7304TR IRF7303TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A 4.3A 4.3A 4.9A
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V 610pF @ 15V 610pF @ 15V 520pF @ 25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 25nC @ 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRF73 IRF73 IRF73 IRF73
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)

Fiche technique IRF7301TRPBF PDF

Téléchargez IRF7301TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7301TRPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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