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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF6723M2DTRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6723M2DTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF6723M2DTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6723M2DTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric MA
Fiche technique
IRF6723M2DTR(1)PbF.pdf
En stock: 4650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6723M2DTRPBF
Infineon Technologies - IRF6723M2DTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6723M2DTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MA  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V  
Puissance - Max 2.7W  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF6723  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6723M2DTRPBF

Attributs du produit IRF6723M2DTRPBF IRF6718L2TRPBF IRF6715MTRPBF IRF6775MTR1PBF
Modèle de produit IRF6723M2DTRPBF IRF6718L2TRPBF IRF6715MTRPBF IRF6775MTR1PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A 61A (Ta), 270A (Tc) 34A (Ta), 180A (Tc) 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Puissance - Max 2.7W - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V 0.7mOhm @ 61A, 10V 1.6mOhm @ 34A, 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MA DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V 6500 pF @ 13 V 5340 pF @ 13 V 1411 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 150µA 2.4V @ 100µA 5V @ 100µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V 96 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Configuration 2 N-Channel (Dual) - - -
Numéro de produit de base IRF6723 - - -
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MA DIRECTFET L6 DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30V 25 V 25 V 150 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRF6723M2DTRPBF PDF

Téléchargez IRF6723M2DTRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF6723M2DTRPBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IRF6723M2DTR(1)PbF.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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