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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6648TR1
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6648TR1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF6648TR1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6648TR1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric MN
Fiche technique
IRF6648TR1.pdf
En stock: 4580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6648TR1
Infineon Technologies - IRF6648TR1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6648TR1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MN  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 86A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6648TR1

Attributs du produit IRF6648TR1 IRF6648TRPBF IRF6646TRPBF IRF6665
Modèle de produit IRF6648TR1 IRF6648TRPBF IRF6646TRPBF IRF6665
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 80 V 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 86A (Tc) 86A (Tc) 12A (Ta), 68A (Tc) 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V 7mOhm @ 17A, 10V 9.5mOhm @ 12A, 10V 62mOhm @ 5A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric MN DirectFET™ Isometric SH
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 4.9V @ 150µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ MN DIRECTFET™ SH
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 25 V 2120 pF @ 25 V 2060 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V

Fiche technique IRF6648TR1 PDF

Téléchargez IRF6648TR1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF6648TR1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
(PMD) Leaded Parts 25/May/2012.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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