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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6601
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6601 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF6601
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6601
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Description détaillée
Emballage
DirectFET™ Isometric MT
Fiche technique
IRF6601/TR1.pdf
En stock: 4900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6601
Infineon Technologies - IRF6601 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6601

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MT  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MT  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta), 85A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6601

Attributs du produit IRF6601 IRF654B IRF6602 IRF644STRR
Modèle de produit IRF6601 IRF654B IRF6602 IRF644STRR
Fabricant Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 26A, 10V - 13mOhm @ 11A, 10V 280mOhm @ 8.4A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V - 18 nC @ 4.5 V 68 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Package / Boîte DirectFET™ Isometric MT - DirectFET™ Isometric MQ TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur DIRECTFET™ MT - DIRECTFET™ MQ D²PAK (TO-263)
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA - 2.3V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® * HEXFET® -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta), 85A (Tc) - 11A (Ta), 48A (Tc) 14A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 20 V - 20 V 250 V
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 42W (Tc) - 2.3W (Ta), 42W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 15 V - 1420 pF @ 10 V 1300 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique IRF6601 PDF

Téléchargez IRF6601 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF6601 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf DirectFET MOSFET 4Ps Checklist.pdf
Feuilles de données
IRF6601/TR1.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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