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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF6215PBF
IRF6215PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF6215PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF6215PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF6215PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF6215PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF6215PBF
Infineon Technologies - IRF6215PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF6215PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF6215PBF

Attributs du produit IRF6215PBF IRF6215STRLPBF IRF6215L IRF6215L-103PBF
Modèle de produit IRF6215PBF IRF6215STRLPBF IRF6215L IRF6215L-103PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 150 V 150 V 150 V 150 V
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.6A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Fiche technique IRF6215PBF PDF

Téléchargez IRF6215PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF6215PBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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