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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF540NPBF
IRF540NPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF540NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF540NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF540NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF540NPBF.pdf
État RoHS
En stock: 60230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF540NPBF
Infineon Technologies - IRF540NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF540NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF540NPBF

Attributs du produit IRF540NPBF IRF540NSPBF IRF540NSTRLPBF IRF540NL
Modèle de produit IRF540NPBF IRF540NSPBF IRF540NSTRLPBF IRF540NL
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK D2PAK TO-262
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base IRF540 - IRF540 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 33A (Tc) 33A (Tc) 33A (Tc)

Fiche technique IRF540NPBF PDF

Téléchargez IRF540NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF540NPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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