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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF4905STRRPBF
IRF4905STRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF4905STRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF4905STRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF4905STRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF4905STRRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 26306

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF4905STRRPBF
Infineon Technologies - IRF4905STRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF4905STRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF4905  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF4905STRRPBF

Attributs du produit IRF4905STRRPBF IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF IRF510
Modèle de produit IRF4905STRRPBF IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF IRF510
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 5.6A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Numéro de produit de base IRF4905 IRF4905 - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK TO-220AB

Fiche technique IRF4905STRRPBF PDF

Téléchargez IRF4905STRRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF4905STRRPBF - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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