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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3808STRRPBF
IRF3808STRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3808STRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3808STRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3808STRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF3808STRRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3808STRRPBF
Infineon Technologies - IRF3808STRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3808STRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 82A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5310 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 106A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3808STRRPBF

Attributs du produit IRF3808STRRPBF IRF3805SPBF IRF3808PBF IRF40B207
Modèle de produit IRF3808STRRPBF IRF3805SPBF IRF3808PBF IRF40B207
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5310 pF @ 25 V 7960 pF @ 25 V 5310 pF @ 25 V 2110 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 50µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 75 V 55 V 75 V 40 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 106A (Tc) 75A (Tc) 140A (Tc) 95A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 6V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK TO-220AB TO-220AB
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 83W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 82A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4.5mOhm @ 57A, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRF3808STRRPBF PDF

Téléchargez IRF3808STRRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3808STRRPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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