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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3805S
IRF3805S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3805S - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3805S
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3805S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF3805S.pdf
En stock: 4030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3805S
Infineon Technologies - IRF3805S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3805S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7960 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3805S

Attributs du produit IRF3805S IRF3805LPBF IRF3805 IRF3717TRPBF
Modèle de produit IRF3805S IRF3805LPBF IRF3805 IRF3717TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Dissipation de puissance (max) 330W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 2.5W (Ta)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.45V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 75A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4.4mOhm @ 20A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur D2PAK TO-262 TO-220AB 8-SO
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 20A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 33 nC @ 4.5 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7960 pF @ 25 V 7960 pF @ 25 V 7960 pF @ 25 V 2890 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount

Fiche technique IRF3805S PDF

Téléchargez IRF3805S PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3805S - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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