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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3704STRR
IRF3704STRR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3704STRR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3704STRR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3704STRR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF3704.pdf
En stock: 4760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3704STRR
Infineon Technologies - IRF3704STRR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3704STRR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 87W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1996 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 77A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3704STRR

Attributs du produit IRF3704STRR IRF3704 IRF3704ZLPBF IRF3704ZCS
Modèle de produit IRF3704STRR IRF3704 IRF3704ZLPBF IRF3704ZCS
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 7.9mOhm @ 21A, 10V 7.9mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB TO-262 D2PAK
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 77A (Tc) 77A (Tc) 67A (Tc) 67A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 87W (Tc) 87W (Tc) 57W (Tc) 57W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1996 pF @ 10 V 1996 pF @ 10 V 1220 pF @ 10 V 1220 pF @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRF3704STRR PDF

Téléchargez IRF3704STRR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3704STRR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF3704.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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