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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF3610STRLPBF
IRF3610STRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF3610STRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF3610STRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF3610STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF3610STRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 15833

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF3610STRLPBF
Infineon Technologies - IRF3610STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF3610STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 62A, 10V  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 103A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF3610  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF3610STRLPBF

Attributs du produit IRF3610STRLPBF IRF3704STRLPBF IRF3704SPBF IRF3704
Modèle de produit IRF3610STRLPBF IRF3704STRLPBF IRF3704SPBF IRF3704
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 103A (Tc) 77A (Tc) 77A (Tc) 77A (Tc)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur PG-TO263-3 D2PAK D2PAK TO-220AB
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 25 V 1996 pF @ 10 V 1996 pF @ 10 V 1996 pF @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 100 V 20 V 20 V 20 V
Numéro de produit de base IRF3610 - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 62A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 19 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V

Fiche technique IRF3610STRLPBF PDF

Téléchargez IRF3610STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF3610STRLPBF - Infineon Technologies.

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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