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IRF1503STRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1503STRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1503STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF1503SPbF, IRF1503LPbF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4480

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF1503STRLPBF
Infineon Technologies - IRF1503STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1503STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 140A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5730 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF1503  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1503STRLPBF

Attributs du produit IRF1503STRLPBF IRF1503SPBF IRF1503LPBF IRF150P220AKMA1
Modèle de produit IRF1503STRLPBF IRF1503SPBF IRF1503LPBF IRF150P220AKMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5730 pF @ 25 V 5730 pF @ 25 V 5730 pF @ 25 V 12000 pF @ 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 140A, 10V 3.3mOhm @ 140A, 10V 3.3mOhm @ 140A, 10V 2.7mOhm @ 100A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 150 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.6V @ 265µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRF1503 IRF1503 IRF1503 -
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 203A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® StrongIRFET™
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK TO-262 PG-TO247-3

Fiche technique IRF1503STRLPBF PDF

Téléchargez IRF1503STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1503STRLPBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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