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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1405ZLPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1405ZLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1405ZLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1405ZLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
IRF1405Z(S,L)PbF.pdf
État RoHS
En stock: 27890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1405ZLPBF
Infineon Technologies - IRF1405ZLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1405ZLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-262  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4780 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1405ZLPBF

Attributs du produit IRF1405ZLPBF IRF1405ZS IRF1405STRLPBF IRF1405ZPBF
Modèle de produit IRF1405ZLPBF IRF1405ZS IRF1405STRLPBF IRF1405ZPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-262 D2PAK D2PAK TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc) 230W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 131A (Tc) 75A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4780 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 5480 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V

Fiche technique IRF1405ZLPBF PDF

Téléchargez IRF1405ZLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1405ZLPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf
Feuilles de données
IRF1405Z(S,L)PbF.pdf

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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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