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IRF1404PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1404PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1404PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF1404PBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 28005

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF1404PBF
Infineon Technologies - IRF1404PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1404PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 121A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 333W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5669 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 196 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 202A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF1404  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1404PBF

Attributs du produit IRF1404PBF IRF1404LPBF IRF1404STRLPBF IRF135SA204
Modèle de produit IRF1404PBF IRF1404LPBF IRF1404STRLPBF IRF135SA204
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 121A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 5.9mOhm @ 96A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 135 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Variant
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 202A (Tc) 162A (Tc) 162A (Tc) 160A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 333W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 500W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5669 pF @ 25 V 7360 pF @ 25 V 7360 pF @ 25 V 11690 pF @ 50 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRF1404 IRF1404 IRF1404 IRF135
Package composant fournisseur TO-220AB TO-262 D2PAK D2PAK-7
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 196 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 315 nC @ 10 V

Fiche technique IRF1404PBF PDF

Téléchargez IRF1404PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1404PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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