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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1302S
IRF1302S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1302S - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1302S
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1302S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF1302S(L).pdf
En stock: 4630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1302S
Infineon Technologies - IRF1302S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1302S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 104A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 174A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1302S

Attributs du produit IRF1302S IRF1310NSPBF IRF1104S IRF1310NSTRLPBF
Modèle de produit IRF1302S IRF1310NSPBF IRF1104S IRF1310NSTRLPBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 104A, 10V 36mOhm @ 22A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V 36mOhm @ 22A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) 2.4W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 100 V 40 V 100 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 174A (Tc) 42A (Tc) 100A (Tc) 42A (Tc)
Emballer Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IRF1302S PDF

Téléchargez IRF1302S PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1302S - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf Leaded Devices 09/Jul/2013.pdf Leaded Devices Revision-2 09/Jul/2013.pdf
Feuilles de données
IRF1302S(L).pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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