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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesIR2117STRPBF
IR2117STRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IR2117STRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IR2117STRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IR2117STRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Fiche technique
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf
État RoHS
En stock: 20188

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IR2117STRPBF
Infineon Technologies - IR2117STRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IR2117STRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 1  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée High-Side  
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA  
courant de charge Single  
Numéro de produit de base IR2117  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IR2117STRPBF

Attributs du produit IR2117STRPBF IR2117SPBF IR2118 IR2121PBF
Modèle de produit IR2117STRPBF IR2117SPBF IR2118 IR2121PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension logique - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 0.8V, 2.2V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP 8-PDIP
Configuration pilotée High-Side High-Side High-Side Low-Side
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
courant de charge Single Single Single Single
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Nombre de conducteurs 1 1 1 1
Rise / Fall Time (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 43ns, 26ns
Séries - - - -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 12V ~ 18V
Numéro de produit de base IR2117 IR2117 IR2118 IR2121
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V -

Fiche technique IR2117STRPBF PDF

Téléchargez IR2117STRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IR2117STRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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