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IR2102PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IR2102PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IR2102PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IR2102PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Description détaillée
Emballage
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Fiche technique
IR2101,02 (S) (PbF).pdf
État RoHS
En stock: 10700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IR2102PBF
Infineon Technologies - IR2102PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IR2102PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-PDIP  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 50ns  
Package / Boîte 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Type d'entrée Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 210mA, 360mA  
courant de charge Independent  
Numéro de produit de base IR2102  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IR2102PBF

Attributs du produit IR2102PBF IR2103PBF IR2102STRPBF IR2103SPBF
Modèle de produit IR2102PBF IR2103PBF IR2102STRPBF IR2103SPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Évier) 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA 210mA, 360mA
Numéro de produit de base IR2102 IR2103 IR2102 IR2103
courant de charge Independent Independent Independent Independent
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Séries - - - -
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Package / Boîte 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type d'entrée Inverting Inverting, Non-Inverting - Inverting, Non-Inverting
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Package composant fournisseur 8-PDIP 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns

Fiche technique IR2102PBF PDF

Téléchargez IR2102PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IR2102PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Assemblage / origine PCN
2.73KHz.pdf
Fiche technique HTML
IR2101,02 (S) (PbF).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IR2102PBF

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32D-IR2102PBF

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